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关于晶体管放大作用的疑问
首先，希望各位老鸟看清楚我具体问的问题后再作答。 然后，希望回答的逻辑，因果关系清晰。 不胜感激！！！
问题： 晶体管中各电流关系什么的都好弄，但是，具体的关于（以共射极为例） 基极电流如何控制集电极电流，我们的教材讲得很模糊。 书本上 讲的基本思路就是 令 β=ic╱ib 然后 却又因为 ic=βib来说明ib对 ic有控制作用 可以放大，这岂不是自己创造前提 自己再用这个前提去证明另一个结论， 自己证明自己啊 好混乱的逻辑。
这里 我想问的是： 究竟 最本质的 ib 是 如何控制 ic ，怎样放大的？ 注意，我想问的是 最本质的原因。 是什么原理 使ib 与 ic 之间有这样的关系？
不知道 问得明不明白。 盼指导！谢！
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"令 β=ic╱ib 然后 却又因为 ic=βib来说明ib对 ic有控制作用 可以放大"
逻辑上是可以讲通的，但是不是你那样理解。
1）首先是因为半导体PN结物理特性，使得当ib从0增大时，ic也从0迅速增大，且比ib要增大的更多；ib减小时，也因为PN结的原因，ic也减小。可见ic的大小变化与ib的大小变化有关系；
2）既然ic与ib的数值大小有关，不妨假定二者关系为：β=ic╱ib，也就是说ic=βib。这就表示了ib对ic的影响效果。
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现在的教材也越来越水了，我读大学的时候教材也是非常抽象。记得小时候顺手买的电子方面书籍写得都比较实在。
实际情况是这样，以NPN共发射极放大电路为例，截止的时候be结没有正偏，电源负极的电子和e极自身的游离电子无法穿透be结（PN结内电场的缘故）。所以b极作为一个P型半导体内部是缺电子的，c极通到电源正极，别想从b极搞到多少有用的电子。
而当be结正偏的时候，连到b极上的偏置电源+极相当于给b极里面的P型半导体原子核加了把劲，直接把原来由于内电场原因拽不动的电子都给拽过来了。接着这个偏置电源+极还想把电子给抽走，形成基极电流Ib。
不过基极被有意做成非常薄的薄膜，夹在e极和c极之间。薄膜中的电子要形成Ib，得横着穿过很扁的横截面钻进很细的引脚。也就是说很多电子毫无阻拦地从e极晃悠到了b极，但其中只有少数形成了b极电流。这个位置很关键——电子多不代表电流就大。现在闲散电子都在薄膜上面扎堆儿没事干。
c极对b极的PN结是反偏，我们通常理解一个PN结的单向导电性就是说正偏的时候外电场方向抵消掉了内电场力，甚至施加了额外的电场力使大多数电子从N极流入，源源不断经过PN结再从P极流出。但其中也有部分电子做倒行逆施漂移回去的，只是不占主力罢了。
而当bc结反偏时，在外电场作用下，电子确实无法沿被电场牵引着从b极扩散进c极了。但此时从e极扩散进入b极薄膜的大量闲散电子借助薄膜的巨大表面积漂移穿过了bc结，这时候漂移胜过扩散，是bc结中电子主要的运动形式。一旦穿过了bc结，电子就会被c极的电极吸引，流回电源正极构成Ic。这个就是集电极电流形成的原理。
三极管被有意制作成便于电子从b极漂移进入c极的几何构造。所谓Ib能“放大”Ic，本质上是b极正偏引发大量电子由e极先扩散，后漂移进入c极的过程。是一个用电场控制电流的过程。