您当前的位置: 
上图是terasic公司提供的SDRAM控制器，大部分已经封装好，我们需要修改其中部分代码，以此来实现我们自己需要的功能。
1.PLL时钟设定
首先上面的sdram_pll.v中产生上一篇博客所需要的“驱动时钟”和“控制时钟”，这两个时钟由于PCB走线延时，两个时钟会有一定的时间差，一般会设定在-3ns ~ 1ns之间。如下图所示：
上图是对SDRAM的PLL进行的更改，这个时钟差设定多少没有严格规定，可以先设定一个值，读取出图像进行调试，看图像是否帧错位或者图像显示不正确等原因，多是由于PLL没有配置好所导致，可以修改此部分进行修改，重新设定。
2.SDRAM_parameter.h 参数设置
之前在VGA显示一篇博客中，就用到了这种思想，就是将常用的参数设定在一个.h文件或者.v文件，然后利用 `include "Sdram_Params.h"加载进来即可。
在此模块中，我们需要将常用到的一些参数设置好，主要用到以下一些参数：
(1) SDRAM parameter.h
笔者使用H57V2562GTR和H57V641620E系列，再此以H57V2562GTR为例。
//==================================================
//address space parameters
// 4M x 4 x 16bit = （8192 x 512）x 4 x 16bit = 256Mbit 注意，8192和512分别为行数和列数。
//行和列的地址,行是12位的，列是8位的，所以会用到这样的乘积。
//宏定义的参数
‘define ROWSIZE 13 //行的宽度在一个bank中
‘define COLSIZE 9 //列的宽度在一个bank中
‘define DSIZE 16 //width of data bus to SDRAM 16bit SDRAM data
‘define BANKSIZE 2 //4 banks in one SDRAM
//所利用宏定义的参数
‘define COLSTART 0
‘define ROWSTART ‘COLSIZE
‘define BANKSTART ‘COLSIZE + ‘ROWSIZE
‘define ASIZE ‘ROWSIZE + ‘ COLSIZE + ’ BANKSIZE
//==================================
//上述是对SDRAM的位宽，行宽，列宽，行起始，列起始，bank数，进行设置。已经最大限度参数化，对
//于同一类hynix这一部分所需要更改的只需更改ROWSIZE和COLSIZE以及DSIZE即可。
//==================================================
(2) 按照SDRAM的驱动流程，那么接下来应该是先200us的SDRAM的稳定启动。
INIT_PER = 200us / T = 200 x 10^3ns / (1000/CLK) = 200 x CLK;
其中CLK为xxMHz的驱动时钟频率，已经转换为ns状态下，所以为1000/clk。以上是计算出来的是延时计 数，就是一开始上电之后，先有一个200us的延时。
比如驱动时钟频率为100MHz，则INIT_PRE = 20000;
比如驱动时钟频率为133MHz，则INIT_PRE = 26600;
//==================================================
(3) 预刷新计数的宏定义
存储器上面的手册的信息是64ms必须完成所有逻辑单元的更新，主要是希望保证SDRAM数据不丢失的前提下，尽可能提高SDRAM的有效带宽，因此设置64ms为刷新间隔上限。
行刷新周期时间 = 64ms / 每个bank的行数.
例如，如果有4096行，则行刷新周期为 64ms / 4096 = 15.625us。
例如，如果有8192行，则行刷新周期为 64ms / 8192 = 7.8125us。
所以REF_PER = 15.625us / (1000/CLK) =15.625 x 10^3 ns / (1000/CLK) = 15.625 x CLK (对应有4096行)
REF_PER = 7.8125us / (1000/CLK) =7.8125 x 10^3 ns / (1000/CLK) = 7.8125x CLK (对应有8192行)
只要至少在预刷新的时间内刷新一次即可，若是有小数部分，可以取最大的整数，忽略小数部分，取最大的整数。
如4096行采用100MHz 时钟频率进行驱动，则15.625 x 100 = 1562/1563均可。
//==================================================
(4) SC_CL潜伏期延时的宏定义
SC_CL为SDRAM列选通命令的潜伏期延时设定，手册规定为2或者3；潜伏期的延时大小直接关系到SDRAM的最高运行速率，因此一般选择3。
定义SC_CL的宏后，会映射到SDR_CL的宏上，这个直接关系到最终的潜伏期选择，
parameter SDR_CL = (SC_CL == 2)? 3’b10 : 3’b11;
//==================================================
(5) SC_RCD数据读取延时定义
保持默认值3
//==================================================
(6) SC_PM突发长度命令宏定义
这里采用了全页突发读/写操作，因此直接设置为A2A1A0 = 1 1 1;
为了便于其他模式修改：通过宏定义选择突发读写长度：
parameter SC_BL = 1；
//SDRAM parameter
parameter SDR_BL = (SC_PM == 1)? 3’b111: //page 256
(SC_BL == 1)? 3’b000: //1
(SC_BL == 2)? 3’b001: //2
(SC_BL == 4)? 3’b010: //4
3’b011; //8
//==================================================
(7) 突发顺序/交错读/写宏定义
一般在视频流的操作中采用顺序读/写，这里的宏定义如下：
parameter SDR_BT = 1’b0 ; // 顺序读/写 A3 = 0
// 1’b1; // 交错读/写 A3 = 1;
以上就是所有SDRAM所需要设定的参数。
//==================================================
//下面是terasic 公司的SDRAM参数设置。
// Address Space Parameters
`define ROWSTART 8
`define ROWSIZE 12
`define COLSTART 0
`define COLSIZE 8
`define BANKSTART 20
`define BANKSIZE 2
// Address and Data Bus Sizes
`define ASIZE 23 // total address width of the SDRAM
`define DSIZE 16 // Width of data bus to SDRAMS
//parameter INIT_PER = 100; // For Simulation
// Controller Parameter
//////////// 133 MHz ///////////////
/*
parameter INIT_PER = 32000;
parameter REF_PER = 1536;
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_RRD = 7;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
*/
///////////////////////////////////////
//////////// 100 MHz ///////////////
parameter INIT_PER = 24000;
parameter REF_PER = 1024;
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_RRD = 7;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
///////////////////////////////////////
//////////// 50 MHz ///////////////
/*
parameter INIT_PER = 12000;
parameter REF_PER = 512;
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_RRD = 7;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
*/
///////////////////////////////////////
// SDRAM Parameter
parameter SDR_BL = (SC_PM == 1)? 3'b111 :
(SC_BL == 1)? 3'b000 :
(SC_BL == 2)? 3'b001 :
(SC_BL == 4)? 3'b010 :
3'b011 ;
parameter SDR_BT = 1'b0; // Sequential
// 1'b1: // Interteave
parameter SDR_CL = (SC_CL == 2)? 3'b10:3'b11;
//=======================================
//优化上述各参数如下所示：
// Address and Data Bus Sizes
//(1M * 4) * 16Bit =(4096 * 256) * 4 * 16Bit = 64MBit
`define ROWSIZE 12 //Rows width in one bank
`define COLSIZE 8 //Column width in one bank
`define DSIZE 16 //16Bit SDRAM data
`define BANKSIZE 2 //4 Banks in one SDRAM
`define ASIZE `COLSIZE + `ROWSIZE + `BANKSIZE //SDRAM Total address
// Address Space Parameters -> The new code addres: {Bank, Row, Column}
`define COLSTART 0
`define ROWSTART `COLSIZE
`define BANKSTART `COLSIZE + `ROWSIZE//上述将rowstart和bankstart进行了参数化，只需修改有限几个参数即可。
//---------------------------------------
//SDRAM Init paramter setting
//`define ROW4096_133MHz
//`define ROW4096_125MHz
`define ROW4096_100MHz
//`define ROW8192_133MHz
//`define ROW8192_125MHz
//`define ROW8192_100MHz//利用命令`define…….`ifdef …….`endif 结构来实现对模式的选择，可以方便的修改。
`ifdef ROW4096_133MHz
// Controller Parameter for 4096 Rows @ 133MHz
parameter INIT_PER = 16'd26600; //200 * 133
parameter REF_PER = 16'd2078; //15.625*133 = 2078.125
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
`endif
`ifdef ROW4096_125MHz
// Controller Parameter for 4096 Rows @ 125MHz
parameter INIT_PER = 16'd25000; //200 * 125
parameter REF_PER = 16'd1953; //15.625*125 = 1953.125
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
`endif
`ifdef ROW4096_100MHz
// Controller Parameter for 4096 Rows @ 100MHz
parameter INIT_PER = 16'd20000; //200 * 100
parameter REF_PER = 16'd1562; //15.625*100 = 1562.5
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
`endif
`ifdef ROW8192_133MHz
// Controller Parameter for 8192 Rows @ 133MHz
parameter INIT_PER = 16'd26600; //200 * 133
parameter REF_PER = 16'd1039; //7.8125*133 = 1039.0625;
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
`endif
`ifdef ROW8192_125MHz
// Controller Parameter for 8192 Rows @ 125MHz
parameter INIT_PER = 16'd25000; //200 * 125
parameter REF_PER = 16'd976; //7.8125*125 = 976.5625
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
`endif
`ifdef ROW8192_100MHz
// Controller Parameter for 8192 Rows @ 100MHz
parameter INIT_PER = 16'd20000; //200 * 100
parameter REF_PER = 16'd781; //7.8125*100 = 781.25
parameter SC_CL = 3;
parameter SC_RCD = 3;
parameter SC_PM = 1;
parameter SC_BL = 1;
`endif
//-----------------------------------------------------------
// SDRAM Parameter
parameter SDR_BL = (SC_PM == 1)? 3'b111 : //Page 256
(SC_BL == 1)? 3'b000 : //1
(SC_BL == 2)? 3'b001 : //2
(SC_BL == 4)? 3'b010 : //4
3'b011 ; //8
parameter SDR_BT = 1'b0; // Sequential
// 1'b1: // Interteave
parameter SDR_CL = (SC_CL == 2)? 3'b10:
3'b11;
上述就定义完成了SDRAM初始化以及模式配置所需要的各寄存器参数，上述的配置正确与否直接决定了输出的数据和运行速率。
//=======================================================================
更多详细的资料下载可以登录笔者百度网盘：
网址：http://pan.baidu.com/s/1bnwLaqF
密码：fgtb
//=======================================================================